除了激光切割机中的 lcvd 技术外，还有其他几种薄膜沉积方法，如常规化学气相沉积、分子束外延、金属激光切割机、有机化学气相沉积和等离子辅助沉积技术。传统的激光切割化学气相沉积技术需要对整个基体进行加热，在加热过程中，反应气体或蒸汽流向基体表面，发生化学反应，沉积薄膜。这个过程非常缓慢(薄膜生长速率为100-1000 a/min)。由于只有加热表面用于薄膜沉积，所以激光切割机的能源利用效率很低。

此外，cvd 激光切割工艺的沉积温度可高达1500k，影响半导体掺杂剂的扩散系数，进而影响半导体薄膜的质量。此外，对cvd 腔中可能的污染物或晶片材料的激光切割也可扩散到在高温下生长的薄膜中。激光切割机在高温条件下，由于供体挥发物的不同，其蒸发量也不同，这将影响薄膜的性能。传统的激光切割化学气相沉积方法在高温下对晶片造成的物理损伤也会导致器件缺陷。另外，激光切割机长时间高温暴露在几乎所有的基材上是有害的。如航空航天用钛合金，由于晶粒尺寸的增大，其性能将大大降低。激光切割机用于铁合金汽车行业也会因晶粒长大和晶界扩散而降低性能。分子束外延(MBE)技术是指在激光切割技术中，由于施主分子束或混合原子束对加热的单晶表面的冲击而导致薄膜的外延生长，化学反应只发生在衬底表面。

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